s3c2440 nandflash 初始化

1.什么是 nandflash ？

flash闪存闪存的英文名称是"flash memory"，一般简称为"flash"，它属于内存器件的一种，是一种非易失性（ non-volatile ）内存。

　　nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor 技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

　　由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nand之间的性能差距。

2.nand和nor flash的区别？

　　● nor的读速度比nand稍快一些。

　　● nand的写入速度比nor快很多。

　　● nand的擦除速度远比nor快。

　　● nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。

　　● nand的实际应用方式要比nor复杂的多。

　　● nor可以直接使用，并在上面直接运行代码，而nand需要i/o接口，因此使用时需要驱动。

上图是nandflash(k9f2g08u0c)的引脚图。

i/o位数据输入、输出引脚同时兼做地址引脚、和命令引脚。

cle：命令锁存引脚，高电平有效。

ale：地址锁存引脚，高电平有效。

注：当cle和ale同时为低电平时，数据通过i/oc传输

nwe：写信号，低电平有效。

nre：读信号，高电平有效。

nce：片选信号，低电平有效。